PBSS4350SSJ

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Vce Saturation Max Ib Ic

340mV @ 270mA, 2.7A

Number Of Elements

2

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

2W

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Parça Durumu

Active

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Polarity

NPN

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Temel Parça No

PBSS4350SS

Terminal Formu

GULL WING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

300 @ 1A 2V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Power Max

750mW

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Turn Off Timemax Toff

520ns

Max Breakdown Voltage

50V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Dual

Hfemin

300

Max Collector Current

2.7A

Pin Sayısı

8

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Terminal Sayısı

8

Collectoremitter Saturation Voltage

240mV

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Turn On Timemax Ton

104ns

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Kurşunsuz

Lead Free

Yayın Yılı

2007

Pin Sayısı

8

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Transistor Application

SWITCHING