PBSS4350SPN,115

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Max Breakdown Voltage

50V

Element Configuration

Dual

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Temel Parça No

PBSS4350SPN

Terminal Formu

GULL WING

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

300 @ 1A 2V / 180 @ 1A 2V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Power Max

750mW

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Dissipation

1.43W

Polarity

NPN, PNP

Collectoremitter Breakdown Voltage

50V

Transistor Element Material

SILICON

Vce Saturation Max Ib Ic

340mV @ 270mA, 2.7A / 370mV @ 270mA, 2.7A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Number Of Elements

2

Max Power Dissipation

1.43W

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2007

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

8

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Montaj

Surface Mount

Transistor Application

SWITCHING

Collector Base Voltage Vcbo

50V

JESD-609 Kodu

e4

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

8

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Current Collector Cutoff Max

100nA

Turn On Timemax Ton

104ns

Collector Emitter Voltage Vceo

50V

Max Collector Current

2.7A

Pin Sayısı

8

Transistor Type

NPN, PNP