PBSS4260PAN,115

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Vce Saturation Max Ib Ic

90mV @ 50mA, 500mA

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Max Power Dissipation

1.45W

Radyasyon Dayanımı

No

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Polarity

NPN

Case Connection

COLLECTOR

Temel Parça No

PBSS4260

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

120 @ 1A 2V

Currentcollector Ic Max

2A

Kılıf / Paket

6-UDFN Exposed Pad

Power Max

510mW

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Element Configuration

Dual

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Hfemin

290

Max Collector Current

3A

Pin Sayısı

6

Transistor Type

2 NPN (Dual)

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

6

Collectoremitter Saturation Voltage

70mV

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Transition Frequency

140MHz

JESD-609 Kodu

e3

Collector Base Voltage Vcbo

60V

Gain Bandwidth Product

140MHz

Yayın Yılı

2012

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Pin Sayısı

6

Montaj

Surface Mount

Transistor Application

SWITCHING