PBSS4230PANP,115

Teknik Özellikler

Collectoremitter Saturation Voltage

-75mV

Transition Frequency

120MHz

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Terminal Sayısı

6

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Transistor Type

NPN, PNP

Max Collector Current

3A

Pin Sayısı

6

Transistor Application

SWITCHING

Yayın Yılı

2012

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Pin Sayısı

6

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Collector Base Voltage Vcbo

30V

JESD-609 Kodu

e3

Gain Bandwidth Product

95MHz

Case Connection

COLLECTOR

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Polarity

NPN, PNP

Number Of Elements

2

Radyasyon Dayanımı

No

Max Power Dissipation

1.45W

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Parça Durumu

Active

Transistor Element Material

SILICON

Vce Saturation Max Ib Ic

290mV @ 200mA, 2A

Frequency Transition

120MHz

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Dual

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Kılıf / Paket

6-UDFN Exposed Pad

Power Max

510mW

Yüzey Montaj

YES

Currentcollector Ic Max

2A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 1A 2V