Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Max Collector Current
- 1.5A
- Pin Sayısı
- 6
- Collectoremitter Saturation Voltage
- -125mV
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- Transition Frequency
- 175MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Terminal Sayısı
- 6
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- Gain Bandwidth Product
- 125MHz
- Montaj
- Surface Mount
- Transistor Application
- SWITCHING
- Yayın Yılı
- 2013
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Pin Sayısı
- 6
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Number Of Elements
- 2
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Max Power Dissipation
- 1.45W
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Parça Durumu
- Active
- Transistor Element Material
- SILICON
- Frequency Transition
- 175MHz
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 120mV @ 50mA, 500mA
- Case Connection
- COLLECTOR
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Polarity
- NPN, PNP
- Kılıf / Paket
- 6-UDFN Exposed Pad
- Power Max
- 510mW
- Temel Parça No
- PBSS4160
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 150 @ 500mA 2V
- Currentcollector Ic Max
- 1A
- Element Configuration
- Dual
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Emitter Base Voltage Vebo
- 7V
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors