PBSS4130PANP,115

Teknik Özellikler

Gain Bandwidth Product

125MHz

Collector Base Voltage Vcbo

30V

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

SWITCHING

Montaj

Surface Mount

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Pin Sayısı

6

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Yayın Yılı

2012

Transistor Type

NPN, PNP

Pin Sayısı

6

Max Collector Current

2A

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Transition Frequency

165MHz

Collector Emitter Voltage Vceo

30V

Collectoremitter Saturation Voltage

-85mV

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Terminal Sayısı

6

Power Max

510mW

Kılıf / Paket

6-UDFN Exposed Pad

Currentcollector Ic Max

1A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

210 @ 500mA 2V

Temel Parça No

PBSS4130

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Dual

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Max Power Dissipation

1.45W

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Parça Durumu

Active

Radyasyon Dayanımı

No

Number Of Elements

2

Vce Saturation Max Ib Ic

100mV @ 50mA, 500mA

Frequency Transition

165MHz

Transistor Element Material

SILICON

Case Connection

COLLECTOR

Polarity

NPN, PNP

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount