
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 30
- Emitter Base Voltage Vebo
- -5V
- Max Breakdown Voltage
- 30V
- Element Configuration
- Dual
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Hfemin
- 300
- Temel Parça No
- PBSS4032SPN
- Currentcollector Ic Max
- 5.7A 4.8A
- Terminal Formu
- GULL WING
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 250 @ 2A 2V / 150 @ 2A 2V
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Power Dissipation
- 2.3W
- Polarity
- NPN, PNP
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 30V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 450mV @ 300mA, 6A / 510mV @ 250mA, 5A
- Frequency Transition
- 140MHz 115MHz
- Number Of Elements
- 2
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Max Power Dissipation
- 2.3W
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- Parça Durumu
- Active
- Yayın Yılı
- 2010
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Pin Sayısı
- 8
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Montaj
- Surface Mount
- Frekans
- 140MHz
- Transistor Application
- SWITCHING
- Collector Base Voltage Vcbo
- 30V
- JESD-609 Kodu
- e4
- ECCN Kodu
- EAR99
- Gain Bandwidth Product
- 140MHz
- Terminal Sayısı
- 8
- Terminal Kaplaması
- Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Transition Frequency
- 140MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA
İlgili Ürünler
Stokta
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Stokta
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Stokta
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Stokta
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Stokta
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Stokta
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Stokta
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

