PBLS6024D,115

Teknik Özellikler

Polarity

NPN, PNP

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 5mA 5V / 140 @ 1A 2V

Max Power Dissipation

760mW

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Continuous Collector Current

-1.5A

Hfemin

285

Yayın Yılı

2009

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj

Surface Mount

Transistor Type

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Parça Durumu

Active

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Terminal Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

150mV

Collectoremitter Breakdown Voltage

65V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A

Frequency Transition

150MHz

Currentcollector Ic Max

100mA 1.5A

Number Of Elements

2

Resistor Base R1

22k Ω

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Pin Sayısı

6

Resistor Emitter Base R2

22k Ω

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V 65V

Power Dissipation

372mW

Element Configuration

Dual

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Max Breakdown Voltage

65V

Current Collector Cutoff Max

1μA 100nA

JESD-609 Kodu

e3