PBLS2022D,115

Teknik Özellikler

Polarity

NPN, PNP

Max Power Dissipation

760mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 10mA 5V / 200 @ 1A 2V

Radyasyon Dayanımı

No

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Yayın Yılı

2009

Hfemin

220

Continuous Collector Current

-1.8A

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Montaj

Surface Mount

Transistor Type

1 PNP Pre-Biased, 1 PNP

Parça Durumu

Active

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Terminal Sayısı

6

Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A

Terminal Formu

GULL WING

Frequency Transition

130MHz

Currentcollector Ic Max

100mA 1.8A

Number Of Elements

2

Resistor Base R1

4.7k Ω

Pin Sayısı

6

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Resistor Emitter Base R2

4.7k Ω

Montaj Tipi

Surface Mount

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V 20V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Element Configuration

Dual

Power Dissipation

370mW

Max Breakdown Voltage

20V

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Current Collector Cutoff Max

1μA 100nA

JESD-609 Kodu

e3