PBLS2021D,115

Teknik Özellikler

Polarity

NPN, PNP

Max Power Dissipation

760mW

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

30 @ 20mA 5V / 200 @ 1A 2V

Radyasyon Dayanımı

No

Continuous Collector Current

-1.8A

Hfemin

220

Yayın Yılı

2009

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz

Lead Free

Parça Durumu

Active

Transistor Type

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Montaj

Surface Mount

Min. Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Terminal Sayısı

6

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Currentcollector Ic Max

100mA 1.8A

Frequency Transition

130MHz

Resistor Base R1

2.2k Ω

Number Of Elements

2

Resistor Emitter Base R2

2.2k Ω

Pin Sayısı

6

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V 20V

Montaj Tipi

Surface Mount

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Max Breakdown Voltage

20V

Element Configuration

Dual

Power Dissipation

370mW

JESD-609 Kodu

e3

Current Collector Cutoff Max

1μA 100nA