PBLS2004D,115

Teknik Özellikler

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Collector Emitter Voltage Vceo

150mV

Terminal Sayısı

6

Parça Durumu

Active

Transistor Type

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Montaj

Surface Mount

Terminal Formu

GULL WING

Vce Saturation Max Ib Ic

150mV @ 500μA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

20V

Radyasyon Dayanımı

No

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

60 @ 5mA 5V / 220 @ 500mA 2V

Max Power Dissipation

600mW

Polarity

NPN, PNP

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Application

SWITCHING

Kurşunsuz

Lead Free

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

ECCN Kodu

EAR99

Yayın Yılı

2005

Additional Feature

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1

Max Breakdown Voltage

20V

Kılıf / Paket

SC-74, SOT-457

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Element Configuration

Dual

Max Collector Current

1A

Pin Sayısı

6

Transition Frequency

185MHz

JESD-609 Kodu

e3

Current Collector Cutoff Max

1μA 100nA

Resistor Base R1

22k Ω

Number Of Elements

2

Currentcollector Ic Max

100mA 1A

Frequency Transition

185MHz

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

50V 20V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Montaj Tipi

Surface Mount

Resistor Emitter Base R2

22k Ω