BSS84AKS,115

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2007

Terminal Sayısı

6

Vgsth Max Id

2.1V @ 250μA

Ds Breakdown Voltagemin

50V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Transistor Application

SWITCHING

Fet Feature

Logic Level Gate

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Fet Type

2 P-Channel (Dual)

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Pin Sayısı

6

Drainsource On Resistancemax

8.5Ohm

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Yüzey Montaj

YES

Current Continuous Drain Id25

160mA

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Pin Sayısı

6

Drain To Source Voltage Vdss

50V

Rds On Max Id Vgs

7.5 Ω @ 100mA, 10V

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Terminal Formu

GULL WING

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Gate Charge Qg Max Vgs

0.35nC @ 5V

Montaj Tipi

Surface Mount

Power Max

445mW

Input Capacitance Ciss Max Vds

36pF @ 25V

Number Of Elements

2

Parça Durumu

Active

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Seri

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE