BSP62,115

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

1.25W

Yayın Yılı

2013

Parça Durumu

Active

Voltage Collector Emitter Breakdown Max

80V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Yüzey Montaj

YES

Terminal Formu

GULL WING

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Transistor Type

PNP - Darlington

ECCN Kodu

EAR99

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

2000 @ 500mA 10V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Vce Saturation Max Ib Ic

1.3V @ 500μA, 500mA

Terminal Sayısı

4

Configuration

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

Number Of Elements

1

Seri

Automotive, AEC-Q101

Terminal Pozisyonu

DUAL

Transistor Application

SWITCHING

Pin Sayısı

3

Jesd30 Code

R-PDSO-G4

Case Connection

COLLECTOR

Currentcollector Ic Max

1A

JESD-609 Kodu

e3

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Qualification Status

Not Qualified

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Montaj Tipi

Surface Mount

Transition Frequency

200MHz

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

4

Polarity

PNP

Current Collector Cutoff Max

50nA

Temel Parça No

BSP62

Frequency Transition

200MHz