BCP56TX

Teknik Özellikler

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

63 @ 150mA 2V

Montaj

Surface Mount

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Pin Sayısı

4

Terminal Sayısı

4

Polaritychannel Type

NPN

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Active

Seri

Automotive, AEC-Q101

Transistor Element Material

SILICON

Collector Emitter Voltage Vceo

500mV

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Max Breakdown Voltage

80V

Max Power Dissipation

1.35W

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Number Of Elements

1

Max Collector Current

1A

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Yayın Yılı

2006

Transistor Application

SWITCHING

Reference Standard

AEC-Q101; IEC-60134

Transition Frequency

155MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Transistor Type

NPN

Frequency Transition

100MHz

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Power Max

1.8W

Configuration

SINGLE

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Jesd30 Code

R-PDSO-G4

JESD-609 Kodu

e3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Pozisyonu

DUAL