BCM857BV,315

Teknik Özellikler

Max Breakdown Voltage

45V

Frequency Transition

175MHz

Power Max

300mW

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

AMPLIFIER

Parça Durumu

Active

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

6

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Collector Current

100mA

Transition Frequency

175MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Temel Parça No

BCM857

Transistor Type

2 PNP (Dual) Matched Pair

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Terminal Sayısı

6

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Max Power Dissipation

300mW

Montaj

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Contact Plating

Tin

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

400mV

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS

Polarity

PNP

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Yayın Yılı

2009

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Terminal Formu

FLAT