BCM857BV,115

Teknik Özellikler

Max Power Dissipation

300mW

Hfemin

200

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Kılıf / Paket

SOT-563, SOT-666

Terminal Sayısı

6

Transistor Type

2 PNP (Dual) Matched Pair

Temel Parça No

BCM857

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Collector Current

100mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Transition Frequency

175MHz

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Active

Transistor Application

AMPLIFIER

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

2

Pin Sayısı

6

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Element Configuration

Dual

Max Breakdown Voltage

45V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Terminal Formu

FLAT

Yükseklik

600μm

Frekans

175MHz

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Uzunluk

1.7mm

Yayın Yılı

2006

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Polarity

PNP

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Power Dissipation

300mW

Gain Bandwidth Product

175MHz

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Genişlik

1.3mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)