BCM857BS,135

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Contact Plating

Tin

Montaj

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Gain Bandwidth Product

175MHz

Power Dissipation

300mW

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Terminal Formu

GULL WING

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Yayın Yılı

2009

Frekans

175MHz

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Polarity

PNP

Element Configuration

Dual

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Max Breakdown Voltage

45V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Parça Durumu

Active

Transistor Application

AMPLIFIER

JESD-609 Kodu

e3

Pin Sayısı

6

Number Of Elements

2

Transistor Type

2 PNP (Dual) Matched Pair

Temel Parça No

BCM857

Montaj Tipi

Surface Mount

Max Collector Current

100mA

Transition Frequency

175MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

6

Max Power Dissipation

300mW

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Hfemin

200