BCM847BS,135

Teknik Özellikler

Yayın Yılı

2009

Element Configuration

Dual

ECCN Kodu

EAR99

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

200 @ 2mA 5V

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Collector Base Voltage Vcbo

50V

Pin Sayısı

6

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Current Collector Cutoff Max

15nA ICBO

Transistor Application

AMPLIFIER

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Kılıf / Paket

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Max Collector Current

100mA

Max Power Dissipation

300mW

Montaj Tipi

Surface Mount

Vce Saturation Max Ib Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Gain Bandwidth Product

250MHz

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Radyasyon Dayanımı

No

Temel Parça No

BCM847

Transistor Element Material

SILICON

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Power Dissipation

300mW

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Sayısı

6

Transistor Type

2 NPN (Dual) Matched Pair

JESD-609 Kodu

e3

Max Breakdown Voltage

45V

Frekans

250MHz

Emitter Base Voltage Vebo

6V

Transition Frequency

250MHz

Pin Sayısı

6

Parça Durumu

Active

Montaj

Surface Mount

Case Connection

ISOLATED