Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 5mA, 100mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 4 Weeks
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Transistor Element Material
- SILICON
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G6
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 110 @ 2mA 5V
- Yayın Yılı
- 2009
- Polaritychannel Type
- NPN
- Terminal Formu
- GULL WING
- Current Collector Cutoff Max
- 15nA ICBO
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 65V
- Power Max
- 200mW
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Frequency Transition
- 100MHz
- Number Of Elements
- 2
- Transistor Application
- SWITCHING
- Yüzey Montaj
- YES
- Parça Durumu
- Active
- Pin Sayısı
- 6
- Transition Frequency
- 100MHz
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Terminal Sayısı
- 6
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors