BAS16J,135

Teknik Özellikler

Max Reverse Voltage Dc

100V

Speed

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Current Reverse Leakage Vr

500nA @ 80V

Fabrika Tedarik Süresi

4 Weeks

Capacitance Vr F

1.5pF @ 0V 1MHz

Temel Parça No

BAS16J

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Forward Voltage

1.25V

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

2

Forward Current

250mA

ECCN Kodu

EAR99

Operating Temperature Junction

150°C Max

Terminal Formu

FLAT

Voltage Forward Vf Max If

1.25V @ 150mA

Pin Sayısı

2

Terminal Sayısı

2

Number Of Elements

1

Current Average Rectified Io

250mA DC

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Pozisyonu

DUAL

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Max Surge Current

4A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Recovery Time

4 ns

Average Rectified Current

250mA

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Montaj

Surface Mount

Max Power Dissipation

550mW

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Diode Type

Standard

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Peak Nonrepetitive Surge Current

4A

Montaj Tipi

Surface Mount

Diode Element Material

SILICON

Seri

Automotive, AEC-Q101, BAS16

Max Reverse Leakage Current

30nA

HTS Kodu

8541.10.00.70

Reference Standard

AEC-Q101; IEC-60134

Element Configuration

Single