Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Emitter Base Voltage Vebo
- 6 V
- Frequency Transition
- 100MHz
- Collector Base Voltage Vcbo
- 80 V
- Ürün Durumu
- Active
- Configuration
- Dual
- Technology
- Si
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 65 V
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 5mA, 100mA
- Power Max
- 200mW
- Current Collector Cutoff Max
- 15nA (ICBO)
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Pd Power Dissipation
- 200 mW
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 65V
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 300 mV
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- 6-TSSOP
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Paket
- Tape & Reel (TR)
- Gain Bandwidth Product Ft
- 100 MHz
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 200 @ 2mA, 5V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Maximum Dc Collector Current
- 200 mA
- Transistor Polarity
- PNP
- Minimum Operating Temperature
- - 55 C
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C (TJ)
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Transistor Type
- 2 PNP
- Seri
- Automotive, AEC-Q101
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

