+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

NEC

NE68133T1BA

RF BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Pin Sayısı
3
Number Of Elements
1
RoHS
Compliant
Polarity
NPN
Montaj
Surface Mount
Ambalaj
Tape and Reel
Temperature Range
-40C to +105C
Power Dissipation
200 mW
Ul
Recognized File E51579
Gain
13 dB
Max Power Dissipation
200 mW
Frekans
9 GHz
Kurşunsuz
Lead Free
Locking Step
PRYOUT
Csa
File 8919
Collector Base Voltage Vcbo
20 V
Transition Frequency
9 GHz
Collectoremitter Breakdown Voltage
10 V
Overall Height In
0.33
Mounting Hole Dia Mm
6,4
Emitter Base Voltage Vebo
1.5 V
Voltage Rating Dc
10 V
Max Breakdown Voltage
10 V
Head Dia Mm
10,7
Material
Nylon 6/6
Note1
POP in closures for pipe and tubing ends
Akım Değeri
65 mA
Alternate Pn
POP 250
Flammability Rating
94V-2
Mounting Hole Dia In
0.250
Maxpanel Thickness In
0.156
Element Configuration
Single
Overall Height Mm
8,3
Collector Emitter Voltage Vceo
10 V
Min. Çalışma Sıcaklığı
-55 °C
Maks. Çalışma Sıcaklığı
150 °C
Max Collector Current
65 mA
Maxpanel Thickness Mm
4.0
Continuous Collector Current
65 mA

İlgili Ürünler

  • Microsemi Corporation

    0204-125

    RF BJT Transistors
  • Microsemi Corporation

    0510-50A

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09022326834

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09023646919

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006246

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006247

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09031466903

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09032322850222

    RF BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek