Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Vcesatmax
- 2.8 V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Turnoff Timenom Toff
- 1500 ns
- Gateemitter Leakage Current
- 0.5 uA
- Ihs Manufacturer
- MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Pin Sayısı
- 10
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Risk Rank
- 5.68
- Qualification Status
- Not Qualified
- Seri
- CM1200
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 125 C
- Number Of Terminals
- 10
- Fabrika Paket Adedi
- 2
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Height Mm
- 38 mm
- Continuous Collector Current At25 C
- 1200 A
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Jesd30 Code
- R-XUFM-X10
- RoHS
- N
- Part Life Cycle Code
- Active
- Pd Power Dissipation
- 6900 W
- Package Description
- FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
- Collectoremitter Voltagemax
- 1700 V
- Ambalaj
- Bulk
- Power Dissipationmax Abs
- 6900 W
- Minimum Operating Temperature
- - 40 C
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 1700 V
- Kılıf / Paket
- Module
- Transistor Application
- POWER CONTROL
- Package Body Material
- UNSPECIFIED
- Number Of Elements
- 2
- Case Connection
- ISOLATED
- Üretici Parça No
- CM1200DB-34N
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Yüzey Montaj
- NO
- Collector Currentmax Ic
- 1200 A
- Part Package Code
- MODULE
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules

