Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Operating Frequency
- 26 GHz
- Id Continuous Drain Current
- 120 mA
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 4 V
- Transistor Type
- pHEMT FET
- Technology
- GaAs
- Output Power
- 16 dBm
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- Die
- Frekans
- 26GHz
- Nominal Gerilim
- 4 V
- Kılıf / Paket
- Die
- Gain
- 10dB
- Current Test
- 25 mA
- Ürün Durumu
- Active
- Paket
- Case
- Noise Figure
- 0.6dB
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Voltage Test
- 2.5 V
İlgili Ürünler
Microchip
0105-50
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1000M
RF MOSFETs Transistors
Microsemi
0405SC-100M
RF MOSFETs Transistors
Microchip
0405SC-1500M
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-100LV
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15E
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EL
RF MOSFETs Transistors
Microchip Technology
0912GN-15EP
RF MOSFETs Transistors