Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pin Sayısı
- 55
- Transistor Type
- NPN
- Ambalaj
- Bulk
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Polaritychannel Type
- NPN
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Highest Frequency Band
- L B
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Frequency Transition
- 960MHz~1.215GHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Max Power Dissipation
- 290W
- Max Frequency
- 1.215GHz
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F2
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Max Collector Current
- 9A
- Output Power
- 80W
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Yayın Yılı
- 1996
- Terminal Sayısı
- 2
- Parça Durumu
- Obsolete
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Configuration
- SINGLE
- Gain
- 8dB ~ 8.5dB
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Pin Sayısı
- 2
- Terminal Formu
- FLAT
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kılıf / Paket
- 55AZ
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 10 @ 15mA 5V
- Number Of Elements
- 1
- JESD-609 Kodu
- e0
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors