Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 65V
- Yayın Yılı
- 2004
- Kılıf / Paket
- M115
- Montaj
- Chassis Mount, Surface Mount
- Max Power Dissipation
- 292W
- Max Collector Current
- 10A
- Gain
- 8.4dB
- Transistor Element Material
- SILICON
- Pin Sayısı
- 4
- Highest Frequency Band
- L B
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- ECCN Kodu
- EAR99
- Transistor Type
- NPN
- Configuration
- SINGLE
- Parça Durumu
- Obsolete
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- JESD-609 Kodu
- e0
- Case Connection
- BASE
- Pin Sayısı
- 4
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Terminal Pozisyonu
- RADIAL
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 65V
- Output Power
- 90W
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 5 @ 100mA 5V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 65V
- Max Frequency
- 1.15GHz
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Polaritychannel Type
- NPN
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Sayısı
- 4
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Ambalaj
- Bulk
- Number Of Elements
- 1
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Terminal Formu
- FLAT
- Frequency Transition
- 1.025GHz~1.15GHz
- Kurşunsuz Kodu
- no
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors