Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 35 V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Lifecycle Status
- IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
- Kılıf / Paket
- M113
- Tip
- RF Bipolar Power
- Highest Frequency Band
- VERY HIGH FREQUENCY B
- Collector Base Voltage Vcbo
- 65V
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 35V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Power Max
- 13W
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Terminal Pozisyonu
- RADIAL
- Terminal Sayısı
- 4
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Gain
- 10dB
- Transistor Polarity
- NPN
- Operating Frequency
- 150 MHz
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Configuration
- SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Montaj Stili
- Screw Mount
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Technology
- Si
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 10 @ 200mA 5V
- Transistor Type
- NPN
- Yayın Yılı
- 2001
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Pd Power Dissipation
- 13 W
- JESD-609 Kodu
- e0
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 35V
- Number Of Elements
- 1
- Polaritychannel Type
- NPN
- Continuous Collector Current
- 1 A
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors