Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Configuration
- SINGLE
- Polaritychannel Type
- NPN
- Output Power
- 550W
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 65V
- Package Shape
- RECTANGULAR
- Package Description
- 0.400 X 0.500 INCH, HERMETIC SEALED, M112, 2 PIN
- ECCN Kodu
- EAR99
- Power Max
- 1350W
- Power Dissipationmax Abs
- 1.35 W
- Terminal Formu
- FLAT
- Qualification Status
- Not Qualified
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Operating Temperaturemax
- 200 °C
- JESD-609 Kodu
- e0
- Pin Sayısı
- 3
- Reflow Temperaturemax S
- NOT SPECIFIED
- Frequency Transition
- 1.025GHz~1.15GHz
- Dc Current Gainmin Hfe
- 5
- Terminal Sayısı
- 2
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Yüzey Montaj
- YES
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Part Life Cycle Code
- Obsolete
- Max Power Dissipation
- 1.35kW
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 65V
- Transistor Type
- NPN
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Collector Base Voltage Vcbo
- 65V
- Kılıf / Paket
- M112
- Yayın Yılı
- 2004
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 5 @ 250mA 5V
- Ambalaj
- Bulk
- Case Connection
- BASE
- Package Body Material
- CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Pin Sayısı
- 2
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors

