Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Type
- NPN
- Yayın Yılı
- 2004
- Output Power
- 150W
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Collector Base Voltage Vcbo
- 65V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 65V
- Jesd30 Code
- S-CDFM-F2
- ECCN Kodu
- EAR99
- Case Connection
- BASE
- JESD-609 Kodu
- e0
- Power Max
- 583W
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 5 @ 300mA 5V
- Kılıf / Paket
- M138
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Terminal Formu
- FLAT
- Additional Feature
- WITH EMITTER BALLASTED RESISTOR
- Transistor Element Material
- SILICON
- Highest Frequency Band
- L B
- Gain
- 8.2dB
- Ambalaj
- Bulk
- Pin Sayısı
- 4
- Frequency Transition
- 1.025GHz~1.15GHz
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Max Collector Current
- 11A
- Polaritychannel Type
- NPN
- Number Of Elements
- 1
- Configuration
- SINGLE
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Parça Durumu
- Obsolete
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 2
- Terminal Sayısı
- 2
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 65V
- Max Power Dissipation
- 583W
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors