Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 55V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 55V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F2
- JESD-609 Kodu
- e0
- Case Connection
- BASE
- Transistor Type
- NPN
- Yayın Yılı
- 2012
- Max Frequency
- 1.215GHz
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Kılıf / Paket
- M216
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Formu
- FLAT
- Highest Frequency Band
- L B
- Transistor Application
- SWITCHING
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 20 @ 5A 5V
- Pin Sayısı
- 4
- Frequency Transition
- 960MHz~1.215GHz
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Gain
- 7.5dB
- Ambalaj
- Bulk
- Pin Sayısı
- 2
- Terminal Sayısı
- 2
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Max Power Dissipation
- 300W
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 55V
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Polaritychannel Type
- NPN
- Number Of Elements
- 1
- Max Collector Current
- 16.5A
- Configuration
- SINGLE
- Parça Durumu
- Obsolete
- Çalışma Sıcaklığı
- 250°C TJ
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors