Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Output Power
- 85W
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Transistor Type
- NPN
- Yayın Yılı
- 2008
- ECCN Kodu
- EAR99
- Jesd30 Code
- R-CDFM-F2
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 55V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 55V
- Power Max
- 300W
- JESD-609 Kodu
- e0
- Case Connection
- BASE
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 20 @ 2A 5V
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Kılıf / Paket
- M218
- Highest Frequency Band
- L B
- Transistor Element Material
- SILICON
- Additional Feature
- HIGH RELIABILITY
- Terminal Formu
- FLAT
- Gain
- 7.5dB
- Ambalaj
- Bulk
- Frequency Transition
- 960MHz~1.215GHz
- Pin Sayısı
- 4
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Parça Durumu
- Obsolete
- Çalışma Sıcaklığı
- 250°C TJ
- Configuration
- SINGLE
- Polaritychannel Type
- NPN
- Number Of Elements
- 1
- Max Collector Current
- 8A
- Terminal Sayısı
- 2
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 2
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Power Dissipation
- 300W
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors