Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 10 @ 100mA 5V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Kılıf / Paket
- M105
- Highest Frequency Band
- L B
- Terminal Formu
- FLAT
- Transistor Element Material
- SILICON
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Output Power
- 4W
- Transistor Type
- NPN
- Yayın Yılı
- 2004
- ECCN Kodu
- EAR99
- Jesd30 Code
- S-CDFM-F2
- Collector Base Voltage Vcbo
- 45V
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 45V
- Power Max
- 21.9W
- Case Connection
- COLLECTOR
- JESD-609 Kodu
- e0
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Configuration
- SINGLE
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Parça Durumu
- Obsolete
- Max Collector Current
- 1A
- Number Of Elements
- 1
- Polaritychannel Type
- NPN
- Terminal Sayısı
- 2
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 2
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 20V
- Min Breakdown Voltage
- 28V
- Max Power Dissipation
- 21.9W
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Gain
- 9.5dB
- Ambalaj
- Bulk
- Frequency Transition
- 1.025GHz~1.15GHz
- Pin Sayısı
- 4
- Radyasyon Dayanımı
- No
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors