Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 15 @ 100mA 5V
- Terminal Pozisyonu
- RADIAL
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Collectorbase Capacitancemax
- 5pF
- Kılıf / Paket
- M115
- Highest Frequency Band
- L B
- Terminal Formu
- FLAT
- Transistor Element Material
- SILICON
- Max Frequency
- 1.09GHz
- Montaj
- Chassis Mount, Surface Mount
- Transistor Type
- NPN
- Yayın Yılı
- 2004
- ECCN Kodu
- EAR99
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 20V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 50V
- JESD-609 Kodu
- e0
- Case Connection
- EMITTER
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Configuration
- SINGLE
- Parça Durumu
- Obsolete
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Polaritychannel Type
- NPN
- Number Of Elements
- 1
- Max Collector Current
- 300mA
- Terminal Sayısı
- 4
- Max Power Dissipation
- 600mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 20V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Gain
- 10.8dB
- Ambalaj
- Bulk
- Frequency Transition
- 1.09GHz
- Pin Sayısı
- 4
- Radyasyon Dayanımı
- No
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors