Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 20V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 50V
- ECCN Kodu
- EAR99
- JESD-609 Kodu
- e0
- Case Connection
- EMITTER
- Power Max
- 5W
- Yayın Yılı
- 2004
- Transistor Type
- NPN
- Output Power
- 600mW
- Montaj
- Chassis Mount, Screw
- Kılıf / Paket
- M220
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Terminal Formu
- FLAT
- Transistor Element Material
- SILICON
- Highest Frequency Band
- L B
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Terminal Pozisyonu
- RADIAL
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 100mA 5V
- Pin Sayısı
- 4
- Frequency Transition
- 1.09GHz
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Gain
- 10.8dB ~ 12.3dB
- Ambalaj
- Bulk
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Pin Sayısı
- 3
- Terminal Sayısı
- 4
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Max Power Dissipation
- 5W
- Min Breakdown Voltage
- 18V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 20V
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Number Of Elements
- 1
- Polaritychannel Type
- NPN
- Max Collector Current
- 300mA
- Configuration
- SINGLE
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Parça Durumu
- Obsolete
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors