Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Continuous Collector Current
- 20 A
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C ~ 250°C
- Polaritychannel Type
- NPN
- Tip
- RF Bipolar Power
- Configuration
- SINGLE
- Direnç
- 249 Ohms
- Minimum Operating Temperature
- - 65 C
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Transistor Polarity
- NPN
- Power Dissipationmax Abs
- 270W
- Emitter Base Voltage Vebo
- 4 V
- Güç (Watt)
- 2W
- Number Of Elements
- 1
- Parça Durumu
- Obsolete
- Terminal Formu
- FLAT
- Ürün Tipi
- RF Bipolar Transistors
- Collector Currentmax Ic
- 20A
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Tolerans
- ±1%
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Kılıf / Paket
- Axial
- Birim Ağırlık
- 0.812183 oz
- Technology
- Si
- Composition
- Wirewound
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 36 V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Operating Temperature Max
- 200°C
- Failure Rate
- M (1%)
- Montaj Stili
- Screw Mount
- Pin Sayısı
- 4
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 10
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Jesd30 Code
- O-CRFM-F4
- Dc Current Gainmin Hfe
- 10
- Terminal Sayısı
- 4
- Boyut / Ölçü
- 0.094 Dia x 0.406 L (2.39mm x 10.31mm)
- Terminal Pozisyonu
- RADIAL
- REACH Uyumluluk Kodu
- compliant
- Qualification Status
- Not Qualified
- Seri
- Military, MIL-PRF-39007, RWR80S
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors