Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Frequency Transition
- 3GHz
- Gain
- 13.5dB
- Transistor Type
- NPN
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 17V
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 17V
- Max Power Dissipation
- 1W
- Lifecycle Status
- IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
- Montaj
- Through Hole
- Parça Durumu
- Obsolete
- Pin Sayısı
- 3
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-39
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Power Max
- 1W
- Number Of Elements
- 2
- Ambalaj
- Bulk
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Yayın Yılı
- 2004
- Currentcollector Ic Max
- 200mA
- Kılıf / Paket
- TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 40 @ 50mA 5V
- Max Collector Current
- 200mA
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors