MRF5812GR1

Teknik Özellikler

Power Max

1.25W

ECCN Kodu

EAR99

Kurşunsuz

Lead Free

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collector Base Voltage Vcbo

30V

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 50mA 5V

Temel Parça No

MRF5812

Configuration

SINGLE

Max Power Dissipation

1.25W

Transition Frequency

5000MHz

Montaj Tipi

Surface Mount

Collectoremitter Breakdown Voltage

15V

Frequency Transition

5GHz

Collector Emitter Voltage Vceo

15V

Parça Durumu

Obsolete

Transistor Element Material

SILICON

Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)

Yayın Yılı

2002

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Terminal Pozisyonu

DUAL

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Max Collector Current

200mA

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Terminal Sayısı

8

Highest Frequency Band

ULTRA HIGH FREQUENCY B

Gain

13dB ~ 15.5dB

Transistor Type

NPN

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

40

Radyasyon Dayanımı

No

Noise Figure Db Typ F

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Collectorbase Capacitancemax

2pF

Max Breakdown Voltage

15V

Pin Sayısı

8

Pin Sayısı

8

Polaritychannel Type

NPN