Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Dissipation
- 350mW
- ECCN Kodu
- EAR99
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 1mA 5V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Eccn
- EAR99
- Parça Durumu
- Obsolete
- Polarity
- PNP
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Terminal Formu
- WIRE
- Max Collector Current
- 50mA
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Terminal Sayısı
- 8
- Seri
- Military, MIL-PRF-19500/336
- Yayın Yılı
- 2007
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5V
- Number Of Elements
- 2
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Ambalaj
- Bulk
- JESD-609 Kodu
- e0
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Itar Registered
- Unavailable
- Jesd30 Code
- O-MBCY-W8
- Pin Sayısı
- 6
- Schedule B
- 8541210080
- Montaj
- Surface Mount, Through Hole
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 100μA, 1mA
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Radyasyon Dayanımı
- No
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors