Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Montaj
- Through Hole
- Polaritychannel Type
- PNP
- Pin Sayısı
- 6
- Pin Sayısı
- 8
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 100μA, 1mA
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Terminal Sayısı
- 8
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Max Collector Current
- 50mA
- Terminal Formu
- WIRE
- Jesd30 Code
- O-MBCY-W8
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Ambalaj
- Bulk
- JESD-609 Kodu
- e0
- Number Of Elements
- 2
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Seri
- Military, MIL-PRF-19500/336
- Yayın Yılı
- 2007
- Transistor Element Material
- SILICON
- Parça Durumu
- Obsolete
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 250mV
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 1mA 5V
- HTS Kodu
- 8541.21.00.95
- ECCN Kodu
- EAR99
- Power Max
- 350mW
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors