Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Parça Durumu
- Active
- RoHS
- N
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 60V
- Montaj Tipi
- Through Hole
- ECCN Kodu
- EAR99
- HTS Kodu
- 8541.21.00.95
- Collector Base Voltage Vcbo
- 70V
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Fabrika Tedarik Süresi
- 23 Weeks
- Pin Sayısı
- 8
- Polaritychannel Type
- NPN
- Qualification Status
- Qualified
- Paket
- Bulk
- Transistor Polarity
- Dual NPN
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Max Collector Current
- 30mA
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Seri
- Military, MIL-PRF-19500/355
- Ambalaj
- Bulk
- Number Of Elements
- 2
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Technology
- Si
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 1mA 5V
- Ürün Durumu
- Active
- Power Max
- 350mW
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-78-6
- Pin Sayısı
- 6
- Reference Standard
- MIL-19500/355J
- Ürün Tipi
- BJTs - Bipolar Transistors
- Montaj
- Through Hole
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 100μA, 1mA
- Terminal Formu
- WIRE
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors