Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- RoHS
- N
- Parça Durumu
- Active
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 60V
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -65°C
- Technology
- Si
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Ürün Durumu
- Active
- Collector Base Voltage Vcbo
- 70V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 150 @ 1mA 5V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 23 Weeks
- Power Max
- 350mW
- Pin Sayısı
- 6
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- TO-78-6
- Paket
- Bulk
- Ürün Tipi
- BJTs - Bipolar Transistors
- Montaj
- Through Hole
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 100μA, 1mA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Max Collector Current
- 30mA
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Temel Ürün No
- 033471
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Currentcollector Ic Max
- 30mA
- Çalışma Sıcaklığı
- 200°C TJ
- Yayın Yılı
- 2007
- Seri
- Military, MIL-PRF-19500/355
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 200°C
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Ambalaj
- Bulk
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

