Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Dissipation
- 600mW
- ECCN Kodu
- EAR99
- Collector Base Voltage Vcbo
- 100V
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 50 @ 10mA 5V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 23 Weeks
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- Lifecycle Status
- IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
- Polarity
- NPN
- Transistor Element Material
- SILICON
- Parça Durumu
- Discontinued
- Max Power Dissipation
- 600mW
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Transition Frequency
- 60MHz
- Max Collector Current
- 500mA
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Terminal Formu
- WIRE
- Terminal Sayısı
- 6
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- Seri
- Military, MIL-PRF-19500/270
- Emitter Base Voltage Vebo
- 7V
- Yayın Yılı
- 2002
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Ambalaj
- Bulk
- JESD-609 Kodu
- e0
- Number Of Elements
- 2
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Pin Sayısı
- 6
- Pin Sayısı
- 8
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Qualification Status
- Qualified
- Montaj
- Through Hole
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 5mA, 50mA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors