Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Formu
- WIRE
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 1mA 5V
- Power Dissipation
- 350mW
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5V
- Montaj Tipi
- Through Hole
- JESD-609 Kodu
- e0
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- Transistor Element Material
- SILICON
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Montaj
- Through Hole
- Pin Sayısı
- 8
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Terminal Kaplaması
- Tin/Lead (Sn/Pb)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 100μA, 1mA
- ECCN Kodu
- EAR99
- Reference Standard
- MIL-19500
- Yayın Yılı
- 2007
- Pin Sayısı
- 6
- Max Collector Current
- 50mA
- Terminal Sayısı
- 6
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- Ambalaj
- Bulk
- Seri
- Military, MIL-PRF-19500/336
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 60V
- Parça Durumu
- Obsolete
- Number Of Elements
- 2
- Polarity
- PNP
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors