Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- Jesd30 Code
- R-CDSO-N3
- Terminal Sayısı
- 3
- Transistor Type
- PNP
- Parça Durumu
- Discontinued
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Power Max
- 200mW
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 30 @ 5mA 10V
- Lifecycle Status
- IN PRODUCTION (Last Updated: 6 months ago)
- Qualification Status
- Qualified
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Yüzey Montaj
- YES
- Ambalaj
- Bulk
- ECCN Kodu
- EAR99
- HTS Kodu
- 8541.21.00.95
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Gain
- 25dB
- Kılıf / Paket
- TO-72-3 Metal Can
- Highest Frequency Band
- ULTRA HIGH FREQUENCY B
- Pin Sayısı
- 3
- JESD-609 Kodu
- e4
- Polaritychannel Type
- PNP
- Number Of Elements
- 1
- Transistor Element Material
- SILICON
- Reference Standard
- MIL-19500/426
- Currentcollector Ic Max
- 30mA
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Terminal Kaplaması
- Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 30V
- Collectorbase Capacitancemax
- 0.8pF
- Configuration
- SINGLE
- Noise Figure Db Typ F
- 3.5dB @ 450MHz
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors