Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Max
- 350mW
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 60V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Formu
- WIRE
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 100μA, 1mA
- Montaj
- Through Hole
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Parça Durumu
- Obsolete
- Çalışma Sıcaklığı
- -65°C~200°C TJ
- Collector Base Voltage Vcbo
- 60V
- Terminal Sayısı
- 6
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 250mV
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kurşunsuz Kodu
- no
- Yayın Yılı
- 2007
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Ambalaj
- Bulk
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 300 @ 1mA 5V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Max Power Dissipation
- 350mW
- Current Collector Cutoff Max
- 10μA ICBO
- JESD-609 Kodu
- e0
- Max Collector Current
- 50mA
- Pin Sayısı
- 8
- Kılıf / Paket
- TO-78-6 Metal Can
- HTS Kodu
- 8541.21.00.95
- Terminal Pozisyonu
- BOTTOM
- Pin Sayısı
- 6
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Seri
- Military, MIL-PRF-19500/336
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Terminal Kaplaması
- TIN LEAD
- Reference Standard
- MIL-19500
- Polaritychannel Type
- PNP
- Transistor Element Material
- SILICON
- Number Of Elements
- 2
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors