APTGT75DH60T1G

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

12

Power Max

250W

Max Power Dissipation

250W

ECCN Kodu

EAR99

Igbt Type

Trench Field Stop

Pin Sayısı

12

Transistor Application

POWER CONTROL

Yayın Yılı

2013

Fabrika Tedarik Süresi

22 Weeks

Parça Durumu

Obsolete

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Vcesatmax

1.9 V

Input Capacitance

4.62nF

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~175°C TJ

Current Collector Cutoff Max

250μA

Vceon Max Vge Ic

1.9V @ 15V, 75A

Element Configuration

Dual

Collectoremitter Breakdown Voltage

600V

Kılıf / Paket

SP1

Transistor Element Material

SILICON

Input Capacitance Cies Vce

4.62nF @ 25V

Terminal Sayısı

9

Configuration

Asymmetrical Bridge

Case Connection

ISOLATED

Number Of Elements

2

Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Turn On Time

170 ns

Ntc Thermistor

Yes

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Montaj

Chassis Mount, Screw, Through Hole

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Input

Standard

Gateemitter Voltagemax

20V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Terminal Pozisyonu

UPPER

Qualification Status

Not Qualified

Max Collector Current

100A