APTGT600U170D4G

Teknik Özellikler

Input Capacitance

51nF

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Current Collector Cutoff Max

1mA

Collectoremitter Breakdown Voltage

1.7kV

Transistor Element Material

SILICON

Maximum Gate Emitter Voltage

20 V

Input Capacitance Cies Vce

51nF @ 25V

Lifecycle Status

IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)

Kılıf / Paket

D4

Paket

Bulk

Ambalaj

Bulk

Igbt Type

Trench Field Stop

Additional Feature

AVALANCHE RATED

Pin Sayısı

4

Transistor Application

POWER CONTROL

Ürün Durumu

Active

Parça Durumu

Active

Yayın Yılı

2012

Turn On Time

430 ns

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Pd Power Dissipation

2.9 kW

Gateemitter Voltagemax

20V

Montaj Tipi

Chassis Mount

Turn Off Timenom Toff

1230 ns

Max Collector Current

1.1kA

Terminal Pozisyonu

UPPER

Tedarikçi Cihaz Paketi

D4

Configuration

Single

Power Dissipation

2.9

Collector Emitter Voltage Vceo

2.4V

Kurşunsuz Kodu

yes

Temel Ürün No

APTGT600

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~150°C TJ

JESD-609 Kodu

e1

Vceon Max Vge Ic

2.4V @ 15V, 600A

Maks. Çalışma Sıcaklığı

+ 125 C

Pin Sayısı

4

Power Max

2900W