Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Input Capacitance
- 4.4nF
- Current Collector Cutoff Max
- 250μA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 1.7kV
- Kılıf / Paket
- SP4
- Lifecycle Status
- Production (Last Updated: 2 months ago)
- Transistor Element Material
- SILICON
- Input Capacitance Cies Vce
- 4.4nF @ 25V
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Ambalaj
- Tube
- Paket
- Bulk
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -40 °C
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Igbt Type
- Trench Field Stop
- Additional Feature
- AVALANCHE RATED
- Pin Sayısı
- 12
- Transistor Application
- POWER CONTROL
- Yayın Yılı
- 2006
- Parça Durumu
- Active
- Ürün Durumu
- Active
- Turn On Time
- 450 ns
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Pd Power Dissipation
- 312 W
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Max Collector Current
- 75A
- Turn Off Timenom Toff
- 1100 ns
- Jesd30 Code
- R-XUFM-X12
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SP4
- Configuration
- Single
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150 °C
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 1.7kV
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~150°C TJ
- JESD-609 Kodu
- e1
- Temel Ürün No
- APTGT50
- Vceon Max Vge Ic
- 2.4V @ 15V, 50A
- Element Configuration
- Single
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules