Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Terminal Formu
- UNSPECIFIED
- Input Capacitance
- 3.15nF
- Current Collector Cutoff Max
- 250μA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 600V
- Kılıf / Paket
- SP3
- Lifecycle Status
- Production (Last Updated: 2 months ago)
- Input Capacitance Cies Vce
- 3.15nF @ 25V
- Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V
- Transistor Element Material
- SILICON
- Paket
- Bulk
- Ambalaj
- Bulk
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -40 °C
- Transistor Application
- POWER CONTROL
- Pin Sayısı
- 25
- Additional Feature
- AVALANCHE RATED
- Igbt Type
- Trench Field Stop
- Yayın Yılı
- 2006
- Parça Durumu
- Active
- Ürün Durumu
- Active
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Turn On Time
- 170 ns
- Pd Power Dissipation
- 176 W
- Polaritychannel Type
- N-CHANNEL
- Montaj Tipi
- Chassis Mount
- Terminal Pozisyonu
- UPPER
- Max Collector Current
- 80A
- Turn Off Timenom Toff
- 310 ns
- Jesd30 Code
- R-XUFM-X25
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- SP3
- Configuration
- Full Bridge Inverter
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 175 °C
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 600V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~175°C TJ
- JESD-609 Kodu
- e1
- Temel Ürün No
- APTGT50
- Vceon Max Vge Ic
- 1.9V @ 15V, 50A
- Max Power Dissipation
- 176W
İlgili Ürünler
Littelfuse
05401200
IGBTs Modules
Littelfuse
05401500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407500
IGBTs Modules
Littelfuse
05407900
IGBTs Modules
Infineon
12MS08017F63G22903
IGBTs Modules
Infineon Technologies
1MS08017E32W31490NOSA1
IGBTs Modules
Vishay
20MT120UFAPBF
IGBTs Modules
Infineon Technologies
2ED300C17SROHSBPSA1
IGBTs Modules