APTGT50DH60T1G

Teknik Özellikler

Configuration

Asymmetrical Bridge

Terminal Sayısı

9

Number Of Elements

2

Case Connection

ISOLATED

Collector Emitter Voltage Vceo

600V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Ntc Thermistor

Yes

Turn On Time

170 ns

Input

Standard

Montaj

Chassis Mount, Screw

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Montaj Tipi

Chassis Mount

Gateemitter Voltagemax

20V

Terminal Pozisyonu

UPPER

Max Collector Current

80A

Turn Off Timenom Toff

310 ns

Jesd30 Code

R-XUFM-X9

Max Power Dissipation

176W

Power Max

176W

Pin Sayısı

10

ECCN Kodu

EAR99

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Application

POWER CONTROL

Pin Sayısı

12

Igbt Type

Trench Field Stop

Yayın Yılı

2012

Parça Durumu

Active

Fabrika Tedarik Süresi

36 Weeks

Terminal Formu

UNSPECIFIED

Vcesatmax

1.9 V

Input Capacitance

3.15nF

Çalışma Sıcaklığı

-40°C~175°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Current Collector Cutoff Max

250μA

Vceon Max Vge Ic

1.9V @ 15V, 50A

Collectoremitter Breakdown Voltage

600V

Element Configuration

Dual

Kılıf / Paket

SP1

Input Capacitance Cies Vce

3.15nF @ 25V

Transistor Element Material

SILICON